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Siliziumkarbid-Schottky-Dioden mit 650 V von Cree ermöglichen hoch effiziente Stromversorgungen für Rechenzentren

München, 07. Januar 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat mit Z-Rec? eine neue Produktlinie von Junction-Barrier-Schottky-Dioden (JBS) mit 650 Volt vorgestellt. Die Bauteile auf Basis von Siliziumkarbid sind auf die Anforderungen von …


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