München, 24. Februar 2011 – Cree, ein führender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid, hat die industrieweit erste kommerzielle, 1.200 V SiC-Schottky-Diode in Surface-Mount-Ausführung vorgestellt. Mit ihrem oberflächenmontierbaren Industriestandard-Geh&au …
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