Forscher der Universität Osaka haben eine neuartige Technik entwickelt, um die Leistung und Zuverlässigkeit von Metall-Oxid-Halbleiter-Bauelementen (MOS) aus Siliziumkarbid (SiC), einer Schlüsselkomponente in der Leistungselektronik, zu verbessern. Bei diesem Durchbruch wird ein einzigartiger zweist…
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