Physiker der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) haben ein Verfahren entwickelt, mit dem sich aus Graphen und Siliziumkarbid leistungsfähige integrierte Schaltkreise herstellen lassen. Graphen ist eine Graphitschicht mit der Dicke einer einzigen Atomlage. Das Material hat außerge…
komplette Meldung auf chemie.de News lesen
Only registered users can comment.
