Nichtflüchtige magnetische Speicher, MRAMs, gelten als vielversprechende Alternative zu vorherrschenden, elektrischen DRAMs oder SRAMs. Ein neu beschriebener physikalischer Effekt, das „Spin-Bahn-Drehmoment“, könnte dazu beitragen, ihre Effizienz zu steigern und das Auslesen und Einschreiben der Dat…
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