Forschern vom Institut für Experimentelle Physik der Universität Leipzig ist es erstmals gelungen, einen Oxid-Feldeffekttransistor mit pn-Diode als Gate herzustellen. Ein Novum im Bereich preisgünstiger, großflächiger Elektronik, etwa bei der Herstellung hochauflösender 3D-Displays. Weltweit versuch…
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